华灿光电拟108亿义乌投建先进半导体与器件项目

  • 来自:巨世显示      时间:2018-02-26
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  • 近日,华灿光电发布公告称,2月21日华灿光电已经与义乌信息光电高新技术产业园达成一致,将在义乌信息光电高新技术产业园投建先进半导体与器件项目,双方并签署了《华灿光电先进半导体与器件项目投资框架协议》。

    华灿光电拟108亿义乌投建先进半导体与器件项目


    公告显示,此次先进半导体与器件项目计划总投资为人民币108亿元,需建设用地约500亩,总建设周期为7年。其中,项目的用地位置、界址、用途、面积、年限、规划设计条件、交地时间等具体内容将由华灿光电与义乌国土资源局签订的《国有建设用地使用权出让合同》来详细规定。


    公告披露,华灿光电该项目包括以下内容:①LED外延及芯片;②蓝宝石衬底;③紫外LED;④红外LED;⑤microLED;⑥MEMS传感器;⑦垂直腔面发射激光器(VCSEL);⑧氮化镓(GaN)基激光器;⑨氮化镓(GaN)基电力电子器件等先进半导体与器件项目。


    华灿光电表示,本协议的签署,符合华灿光电的战略发展需要,有利于提升未来发展空间,为华灿光电未来的发展注入动力。本项目如顺利实施将有助于华灿光电的业务拓展,为公司持续发展提供支持和保障,同时有利于积累项目运营经验,提升公司的核心竞争力和行业影响力。

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